“第十七屆研究生創(chuàng)新學(xué)術(shù)論壇”順利舉行
2019年7月9日下午,我院“第十六屆研究生創(chuàng)新學(xué)術(shù)論壇”在材料樓A326成功舉行。我院研究生姚東輝、梁欣和張瓊?cè)煌瑢W(xué)分別作了精彩的報告。
姚東輝同學(xué)以《堿土金屬離子(M2+)交換法從黑云母中提鉀及M2+-mica的電化學(xué)性能研究》為題,介紹了開發(fā)出一種高效且低能耗的方法從難溶性含鉀云母提取鉀離子,必將改善我國的農(nóng)業(yè)、醫(yī)藥以及工業(yè)的發(fā)展。再經(jīng)過前期的研究發(fā)現(xiàn)了一種從難溶性含鉀黑云母中提取鉀離子的方法,此種方法在提取鉀離子的過程中并未破壞云母的層狀結(jié)構(gòu),同時還提高了黑云母層間的反應(yīng)活性,使其層間離子能發(fā)生取代反應(yīng);初期表征測試表明離子交換后的云母在電化學(xué)性能方面有了良好的改善,這為黑云母以后在電化學(xué)相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。
張瓊同學(xué)研究了沉積溫度在沉積溫度為760至1104 K的條件下對SrTiO3薄膜的取向、結(jié)晶度、結(jié)構(gòu)和微觀結(jié)構(gòu)的影響。隨著沉積溫度的增加,STO薄膜傾向于(110)擇優(yōu)生長,織構(gòu)從2.3增加到6,(110)取向SrTiO3的ω掃描的FWHM的最大值從0.85°降至0.59°,其中(110)取向晶粒呈楔形,尺寸約為60×150 nm,其中在沉積溫度為1104 K時薄膜表面致密平整。
采用反應(yīng)燒結(jié)法制備了多孔Si3N4結(jié)合SiC陶瓷。在此過程中,采用硅粉氮化法制備了Si3N4。結(jié)果表明,多孔Si3N4結(jié)合SiC陶瓷的主要相為SiC、α-Si3N4和β-Si3N4。隨著燒結(jié)溫度的升高,β-Si3N4含量增加。Si3N4晶須分別形成針狀(低燒結(jié)溫度)和棒狀(高燒結(jié)溫度)。從低合成溫度到高合成溫度,多孔Si3N4鍵合SiC陶瓷的最大孔隙率高達(dá)46.7%,彎曲強(qiáng)度約為11.6 MPa。
“第十七屆研究生創(chuàng)新學(xué)術(shù)論壇”圓滿結(jié)束!通過“研究生創(chuàng)新學(xué)術(shù)論壇”,為廣大研究生提供了更好的交流和學(xué)習(xí)的平臺。